Simulation von CNFET basierten Digitalschaltungen

Abstract. Einwandige Kohlenstoff Nanoröhrchen können sowohl halbleitende als auch metallische Eigenschaften aufweisen, je nachdem wie die Röhrchenachse im Vergleich zur Anordnung der Kohlenstoffatome verläuft. Dies wird durch den sogenannten Aufrollvektor bestimmt. Halbleitende Nanoröhrchen können für Transistoren (CNFETs) verwendet werden, deren Verhalten sich mit einer modifizierten Version von Berkeley Spice 3f5 simulieren läßt. Die aus diesen Simulationen gewonnenen Parameter werden zur Parametrisierung von SystemC Modellen aus CNFETs bestehender Grundschaltungen verwendet, was zu einer um Größenordnungen höheren Simulationsgeschwindigkeit bei hoher Genauigkeit führt.

Single walled carbon nanotubes (CNT) can be either metallic or semiconducting depending on the tube's orientation in relation to the configuration of the carbon atoms. This is determined by the so-called chiral vector. Semiconducting CNT can be used in transistors (CNFET) which can be simulated by a modified version of Berkeley Spice 3f5. The parameters determined by these simulations are used to parameterise SystemC models of some basic building blocks yielding fast simulations with high accuracy.